Modulo IGBT Infineon, VCE 750 V, IC 950 A, HybridPACK
- Codice RS:
- 244-5877
- Codice costruttore:
- FS950R08A6P2BBPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 vassoio da 6 unità*
2943,912 €
(IVA esclusa)
3591,57 €
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 6 + | 490,652 € | 2.943,91 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-5877
- Codice costruttore:
- FS950R08A6P2BBPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 950 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 750 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 6 | |
| Dissipazione di potenza massima | 870 W | |
| Tipo di package | HybridPACK | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 950 A | ||
Tensione massima collettore emitter 750 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 6 | ||
Dissipazione di potenza massima 870 W | ||
Tipo di package HybridPACK | ||
L'unità modulo IGBT infineon è un modulo a sei confezioni molto compatto (750 V/950 A) ottimizzato per veicoli ibridi ed elettrici. Il modulo di alimentazione implementa la nuova generazione di IGBT EDT2, che è un micro-modello di progettazione di celle di arresto in trincea per il settore automobilistico ottimizzato per le applicazioni di trasmissione elettrica. Il chipset ha una densità di corrente di riferimento combinata con robustezza dei cortocircuiti e una maggiore tensione di blocco per un funzionamento affidabile dell'inverter in condizioni ambientali difficili. L'IGBT EDT2 mostra anche eccellenti perdite di potenza a carico leggero, che contribuiscono a migliorare l'efficienza del sistema in un ciclo di guida reale. L'IGBT EDT2 è stato ottimizzato per le applicazioni con frequenze di commutazione nella gamma di 10 kHz.
Caratteristiche elettriche
Tensione di bloccaggio 750 V
Bassa VCEsat
Basse perdite di commutazione
Basso Qg e crss
Basso design induttivo Tvj op = 150° C
Temperatura d'esercizio prolungata per brevi periodi Tvj op = 175° C
Caratteristiche meccaniche
Isolamento da 4,2 kV c.c. 1 sec
Elevate distanze di corsa e di svincolo
Design compatto
Elevata densità di potenza
Piastra di base pinFin a raffreddamento diretto
Elementi di guida per l'assemblaggio di PCB e raffreddatore
ISensore di temperatura NTC integrato
Tecnologia di contatto a pressione
Conforme alla normativa RoHS
Telaio del modulo UL 94 V0
Tensione di bloccaggio 750 V
Bassa VCEsat
Basse perdite di commutazione
Basso Qg e crss
Basso design induttivo Tvj op = 150° C
Temperatura d'esercizio prolungata per brevi periodi Tvj op = 175° C
Caratteristiche meccaniche
Isolamento da 4,2 kV c.c. 1 sec
Elevate distanze di corsa e di svincolo
Design compatto
Elevata densità di potenza
Piastra di base pinFin a raffreddamento diretto
Elementi di guida per l'assemblaggio di PCB e raffreddatore
ISensore di temperatura NTC integrato
Tecnologia di contatto a pressione
Conforme alla normativa RoHS
Telaio del modulo UL 94 V0