Modulo transistor IGBT Infineon, PG-TO263-7
- Codice RS:
- 258-3756
- Codice costruttore:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
2076,00 €
(IVA esclusa)
2533,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 01 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,076 € | 2.076,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3756
- Codice costruttore:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di package | PG-TO263-7 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di package PG-TO263-7 | ||
Il MOSFET SiC Infineon CoolSiC1200 V da 350 mΩ in un contenitore D2PAK-7L si basa su un processo a semiconduttore a trincea all'avanguardia ottimizzato per combinare prestazioni e affidabilità nel funzionamento. Le basse perdite di potenza della tecnologia CoolSiC, combinate con la tecnologia di interconnessione XT in un nuovo contenitore SMD ottimizzato da 1200 V, consentono la massima efficienza e il potenziale di raffreddamento passivo in applicazioni come unità, caricabatterie e alimentatori industriali.
Perdite di commutazione molto basse
Tempo di resistenza ai cortocircuiti, 3 μs
dV/dt completamente controllabile
Miglioramento dell'efficienza
Abilitazione di una frequenza più elevata
Maggiore densità di potenza
Tempo di resistenza ai cortocircuiti, 3 μs
dV/dt completamente controllabile
Miglioramento dell'efficienza
Abilitazione di una frequenza più elevata
Maggiore densità di potenza