Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 69 A, Modulo
- Codice RS:
- 273-7360
- Codice costruttore:
- DDB6U75N16W1RBOMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
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- Codice RS:
- 273-7360
- Codice costruttore:
- DDB6U75N16W1RBOMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 69 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | +/-20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 335 W | |
| Tipo di package | Modulo | |
| Tipo di montaggio | Montaggio a pannello | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 69 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter +/-20V | ||
Dissipazione di potenza massima 335 W | ||
Tipo di package Modulo | ||
Tipo di montaggio Montaggio a pannello | ||
Il modulo a ponte di diodi Infineon, con chopper di frenata e NTC, consente di realizzare un convertitore più compatto. Presenta una tensione inversa di picco ripetitiva di 1600 V e una corrente in avanti RMS massima di 65 A per chip.
Resistenza termica
Isolamento interno Al2O3
Potenza totale dissipata 335 W
Corrente in avanti CC continua 15 A
Isolamento interno Al2O3
Potenza totale dissipata 335 W
Corrente in avanti CC continua 15 A