Modulo IGBT Infineon DDB6U75N16W1RBOMA1, VCE 1200 V, IC 69 A, Modulo, 8 Pin Pannello

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Codice RS:
273-7360
Codice costruttore:
DDB6U75N16W1RBOMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

69A

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

335W

Tipo di package

Modulo

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

8

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.25V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

16.4mm

Lunghezza

62.8mm

Standard/Approvazioni

IEC61140, EN61140

Standard automobilistico

No

Il modulo a ponte di diodi Infineon, con chopper di frenata e NTC, consente di realizzare un convertitore più compatto. Presenta una tensione inversa di picco ripetitiva di 1600 V e una corrente in avanti RMS massima di 65 A per chip.

Resistenza termica

Isolamento interno Al2O3

Potenza totale dissipata 335 W

Corrente in avanti CC continua 15 A

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