Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 28 A, Modulo
- Codice RS:
- 273-7398
- Codice costruttore:
- FP15R12W1T4B11BOMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 24 - 96 | 37,193 € | 892,63 € |
| 120 + | 34,093 € | 818,23 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7398
- Codice costruttore:
- FP15R12W1T4B11BOMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 28 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | +/-20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 130 W | |
| Tipo di package | Modulo | |
| Tipo di montaggio | Montaggio a pannello | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 28 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter +/-20V | ||
Dissipazione di potenza massima 130 W | ||
Tipo di package Modulo | ||
Tipo di montaggio Montaggio a pannello | ||
Il modulo IGBT di Infineon possiede una tensione di collettore-emettitore di 1200 V e una corrente di collettore CC continua di 15 A. Si tratta di una soluzione superiore per gli azionamenti a inverter a controllo di frequenza. Questo modulo IGBT è disponibile con TRENCHSTOP IGBT4 rapido, 4 diodi controllati dall'emettitore, NTC e tecnologia di contatto Press FIT.
Resistenza termica
Alta densità di potenza
Modulo compatto
Design del modulo a bassa induttanza di dispersione
Alta densità di potenza
Modulo compatto
Design del modulo a bassa induttanza di dispersione
