Modulo IGBT Infineon F3L100R07W2E3B11BOMA1, VCE 650 V, IC 117 A, Modulo Pannello

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Codice RS:
273-7362
Codice costruttore:
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

117A

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tipo di package

Modulo

Tipo montaggio

Pannello

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

16.4mm

Lunghezza

62.8mm

Standard/Approvazioni

UL (E83335)

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT di Infineon possiede 650 V VCES, una corrente di collettore CC continua di 100 A, un modulo IGBT a 3 livelli a gamba di fase con TRENCHSTOP IGBT3, 3 diodi controllati dall'emettitore, NTC e tecnologia di contatto Press FIT. Questo modulo IGBT presenta una capacità di tensione di blocco superiore a 650 V ed è disponibile con substrato Al2O3 a bassa resistenza termica.

Basso VCEsat

Design compatto

Montaggio robusto

Design a bassa induttanza

Basse perdite di commutazione

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