Modulo IGBT Infineon F3L150R07W2E3B11BOMA1, VCE 150 V, IC 650 A, Modulo, 8 Pin Pannello

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Codice RS:
273-7364
Codice costruttore:
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

650A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

150V

Dissipazione di potenza massima Pd

335W

Tipo di package

Modulo

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

8

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.9V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

UL (E83335)

Lunghezza

62.4mm

Altezza

16.4mm

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT di Infineon possiede 650 V VCES, una corrente di collettore CC continua di 150 A, un modulo IGBT a 3 livelli a gambe di fase con TRENCHSTOP IGBT3, 3 diodi controllati dall'emettitore, NTC e tecnologia di contatto Press FIT. Questo modulo IGBT presenta una capacità di tensione di blocco superiore a 650 V ed è disponibile con substrato Al2O3 a bassa resistenza termica.

Basso VCEsat

Design compatto

Montaggio robusto

Design a bassa induttanza

Basse perdite di commutazione

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