Modulo IGBT Infineon FS75R12KT3GBOSA1, VCE 1200 V, IC 100 A, Modulo Pannello

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Codice RS:
273-7408
Codice costruttore:
FS75R12KT3GBOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

100A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

355W

Tipo di package

Modulo

Tipo montaggio

Pannello

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.15V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

122mm

Standard/Approvazioni

EN61140, IEC61140

Altezza

20.5mm

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT di Infineon possiede una tensione di collettore-emettitore di 1200 V e una corrente di collettore CC continua di 75 A. Il design del modulo è a bassa induttanza di dispersione. Questo modulo IGBT è disponibile con TRENCHSTOP IGBT3 rapido, diodo ad alta efficienza controllato dall'emettitore e NTC.

Resistenza termica

Alta densità di potenza

Modulo compatto

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