Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 200 A, Modulo Pannello
- Codice RS:
- 273-7405
- Codice costruttore:
- FS150R12PT4BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 273-7405
- Codice costruttore:
- FS150R12PT4BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 200A | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 680W | |
| Tipo di package | Modulo | |
| Tipo montaggio | Pannello | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.15V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC61140, ULapproved(E83335), EN61140 | |
| Altezza | 20.5mm | |
| Lunghezza | 130mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 200A | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 680W | ||
Tipo di package Modulo | ||
Tipo montaggio Pannello | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.15V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni IEC61140, ULapproved(E83335), EN61140 | ||
Altezza 20.5mm | ||
Lunghezza 130mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il modulo IGBT di Infineon presenta un VCEsat con coefficiente di temperatura positivo. Questo modulo IGBT possiede una tensione di collettore-emettitore di 1200 V e una corrente di collettore CC continua di 150 A. È un modulo IGBT utilizzato per convertitori ad alta potenza, azionamenti per motori e applicazioni per sistemi UPS.
Basso VCEsat
Alloggiamento standard
Piastra di base isolata
Basse perdite di commutazione
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