Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 100 A, Modulo
- Codice RS:
- 273-7409
- Codice costruttore:
- FS75R12KT3GBOSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 4 | 207,58 € |
| 5 - 9 | 203,42 € |
| 10 - 99 | 188,69 € |
| 100 - 249 | 172,92 € |
| 250 + | 159,63 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7409
- Codice costruttore:
- FS75R12KT3GBOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 100 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | +/-20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 355 W | |
| Tipo di package | Modulo | |
| Tipo di montaggio | Montaggio a pannello | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 100 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter +/-20V | ||
Dissipazione di potenza massima 355 W | ||
Tipo di package Modulo | ||
Tipo di montaggio Montaggio a pannello | ||
Il modulo IGBT di Infineon possiede una tensione di collettore-emettitore di 1200 V e una corrente di collettore CC continua di 75 A. Il design del modulo è a bassa induttanza di dispersione. Questo modulo IGBT è disponibile con TRENCHSTOP IGBT3 rapido, diodo ad alta efficienza controllato dall'emettitore e NTC.
Resistenza termica
Alta densità di potenza
Modulo compatto
Alta densità di potenza
Modulo compatto