Modulo IGBT Semikron Danfoss SKM100GB125DN, VCE 1200 V, IC 100 A Dual Half Bridge (DHB), canale Tipo N, SEMITRANS, 7 Pin
- Codice RS:
- 468-2410
- Codice costruttore:
- SKM100GB125DN
- Costruttore:
- Semikron Danfoss
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- Codice RS:
- 468-2410
- Codice costruttore:
- SKM100GB125DN
- Costruttore:
- Semikron Danfoss
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Semikron Danfoss | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 100A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Numero transistor | 2 | |
| Configurazione | Dual Half Bridge (DHB) | |
| Tipo di package | SEMITRANS | |
| Tipo montaggio | Pannello | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 7 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | 150°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 3.85V | |
| Temperatura massima di funzionamento | -40°C | |
| Lunghezza | 94.5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 30.5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Semikron Danfoss | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 100A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Numero transistor 2 | ||
Configurazione Dual Half Bridge (DHB) | ||
Tipo di package SEMITRANS | ||
Tipo montaggio Pannello | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 7 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Minima temperatura operativa 150°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 3.85V | ||
Temperatura massima di funzionamento -40°C | ||
Lunghezza 94.5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 30.5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Moduli IGBT doppi
Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di tensione e corrente nominali e sono adatti per una varietà di applicazioni di commutazione di potenza come inverter c.a., azionamenti per motori e alimentatori continui.
Contenitore compatto SEMITOP®
Idoneità per frequenze di commutazione fino a 12 kHz
Piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia Direct bonded copper
Moduli IGBT, Semikron
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
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