Modulo IGBT Semikron Danfoss SKM100GAL12T4, VCE 1.2 kV, IC 160 A, canale N, SEMITRANS 2 GAL Superficie
- Codice RS:
- 210-4948
- Codice costruttore:
- SKM100GAL12T4
- Costruttore:
- Semikron Danfoss
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- Codice RS:
- 210-4948
- Codice costruttore:
- SKM100GAL12T4
- Costruttore:
- Semikron Danfoss
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Semikron Danfoss | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 160A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1.2kV | |
| Tipo di package | SEMITRANS 2 GAL | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | N | |
| Velocità di commutazione | 20kHz | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.4V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 34mm | |
| Altezza | 30mm | |
| Standard/Approvazioni | UL, File no. E63532 | |
| Lunghezza | 94mm | |
| Serie | SKM100GAL12T4 | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Semikron Danfoss | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 160A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1.2kV | ||
Tipo di package SEMITRANS 2 GAL | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale N | ||
Velocità di commutazione 20kHz | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.4V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 34mm | ||
Altezza 30mm | ||
Standard/Approvazioni UL, File no. E63532 | ||
Lunghezza 94mm | ||
Serie SKM100GAL12T4 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il modulo IGBT rapido 4 contenitore Semikron Semitrans 2 appartiene alla generazione IGBT4 che può essere una scelta preferita per applicazioni come veicoli ibridi o elettrici, saldatrici elettroniche a frequenze di commutazione fino a 20 kHz, convertitore c.c./c.c., chopper di frenata e motore a riluttanza commutata. Il chipset fornisce una piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia DBC (rame legato diretto) e un diodo CAL di 4 generazione a commutazione morbida integrato nel modulo.
Resistenza gate integrata
Maggiore capacità di ciclo di potenza e commutazione graduale
Temperatura d'esercizio = da -40 a 150ºC
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