Modulo IGBT Semikron Danfoss, VCE 1200 V, IC 160 A, canale N

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

65,28 €

(IVA esclusa)

79,64 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 11 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 465,28 €
5 - 958,04 €
10 - 2452,22 €
25 - 4950,16 €
50 +48,90 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
210-4948
Codice costruttore:
SKM100GAL12T4
Costruttore:
Semikron Danfoss
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Semikron Danfoss

Corrente massima continuativa collettore

160 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

20V

Numero di transistor

1

Configurazione

Single

Tipo di montaggio

Montaggio a pannello

Tipo di canale

N

Configurazione transistor

Singolo

Il modulo IGBT rapido 4 contenitore Semikron Semitrans 2 appartiene alla generazione IGBT4 che può essere una scelta preferita per applicazioni come veicoli ibridi o elettrici, saldatrici elettroniche a frequenze di commutazione fino a 20 kHz, convertitore c.c./c.c., chopper di frenata e motore a riluttanza commutata. Il chipset fornisce una piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia DBC (rame legato diretto) e un diodo CAL di 4 generazione a commutazione morbida integrato nel modulo.

Resistenza gate integrata
Maggiore capacità di ciclo di potenza e commutazione graduale
Temperatura d'esercizio = da -40 a 150ºC

Link consigliati