Modulo IGBT Semikron Danfoss SKM400GB125D, VCE 1.2 kV, IC 400 A, canale N, SEMITRANS, 7 Pin Morsetto a vite

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Modulo IGBT Semikron Danfoss SKM300GB12E4, VCE 1.2 kV, IC 422 A, canale N, SEMITRANS, 7 Pin Morsetto a vite
Codice RS
125-1113

Unità

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Codice RS:
125-1115
Codice costruttore:
SKM400GB125D
Costruttore:
Semikron Danfoss
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Marchio

Semikron Danfoss

Corrente massima continua collettore Ic

400A

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1.2kV

Numero transistor

2

Tipo di package

SEMITRANS

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Tipo di canale

N

Numero pin

7

Velocità di commutazione

12kHz

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

3.85V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

30.5mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

106.4mm

Serie

SKM400GB125D

Larghezza

61.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
SK

Moduli IGBT doppi


Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di tensione e corrente nominali e sono adatti per una varietà di applicazioni di commutazione di potenza come inverter c.a., azionamenti per motori e alimentatori continui.

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Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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