Modulo IGBT Semikron Danfoss SKM200GB125D, VCE 1200 V, IC 200 A, canale Tipo N, SEMITRANS, 3 Pin Pannello

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

364,70 €

(IVA esclusa)

444,93 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 66 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 5 unità in spedizione dal 02 aprile 2026
  • Ultime 1 unità in spedizione dal 06 aprile 2026
Unità
Per unità
1 - 1364,70 €
2 - 4346,48 €
5 - 9334,42 €
10 - 19322,03 €
20 +306,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
468-2454
Codice costruttore:
SKM200GB125D
Costruttore:
Semikron Danfoss
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Semikron Danfoss

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

200A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Numero transistor

2

Tipo di package

SEMITRANS

Tipo montaggio

Pannello

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

3.85V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

-40°C

Altezza

30.5mm

Serie

SKM200GB125D

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

106.4mm

Standard automobilistico

No

Moduli IGBT doppi


Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di tensione e corrente nominali e sono adatti per una varietà di applicazioni di commutazione di potenza come inverter c.a., azionamenti per motori e alimentatori continui.

Contenitore compatto SEMITOP®

Idoneità per frequenze di commutazione fino a 12 kHz

Piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia Direct bonded copper

Moduli IGBT, Semikron


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.