Modulo IGBT Semikron Danfoss, VCE 1200 V, IC 81 A, canale N, SEMITRANS2

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Codice RS:
687-4967
Codice costruttore:
SKM50GB12T4
Costruttore:
Semikron Danfoss
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Marchio

Semikron Danfoss

Corrente massima continuativa collettore

81 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Configurazione

Dual Half Bridge (DHB)

Tipo di package

SEMITRANS2

Tipo di montaggio

Montaggio a pannello

Tipo di canale

N

Numero pin

7

Configurazione transistor

Serie

Dimensioni

94 x 34 x 30.1mm

Minima temperatura operativa

-40 °C

Massima temperatura operativa

+175 °C

Moduli IGBT doppi


Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di tensione e corrente nominali e sono adatti per una varietà di applicazioni di commutazione di potenza come inverter c.a., azionamenti per motori e alimentatori continui.

Contenitore compatto SEMITOP®
Idoneità per frequenze di commutazione fino a 12 kHz
Piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia Direct bonded copper


Moduli IGBT, Semikron


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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