Modulo IGBT Semikron Danfoss SKM75GB12V, VCE 1200 V, IC 114 A, canale Tipo N, SEMITRANS, 7 Pin Pannello

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Codice RS:
905-6156
Codice costruttore:
SKM75GB12V
Costruttore:
Semikron Danfoss
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Marchio

Semikron Danfoss

Corrente massima continua collettore Ic

114A

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Numero transistor

2

Tipo di package

SEMITRANS

Tipo montaggio

Pannello

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

7

Minima temperatura operativa

175°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.3V

Temperatura massima di funzionamento

-40°C

Larghezza

34 mm

Altezza

30.1mm

Lunghezza

94mm

Serie

SKM75GB12V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
SK

Moduli IGBT doppi


Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di tensione e corrente nominali e sono adatti per una varietà di applicazioni di commutazione di potenza come inverter c.a., azionamenti per motori e alimentatori continui.

Contenitore compatto SEMITOP®

Idoneità per frequenze di commutazione fino a 12 kHz

Piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia Direct bonded copper

Moduli IGBT, Semikron


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Supplied with

Dispositivi di fissaggio