Modulo IGBT Semikron Danfoss SKM300GB12E4, VCE 1200 V, IC 422 A, canale Tipo N, SEMITRANS, 7 Pin Morsetto a vite

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

210,73 €

(IVA esclusa)

257,09 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 12 unità in spedizione dal 25 maggio 2026
  • Più 12 unità in spedizione dal 29 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 1210,73 €
2 - 4197,44 €
5 +184,19 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
125-1113
Codice costruttore:
SKM300GB12E4
Costruttore:
Semikron Danfoss
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Semikron Danfoss

Corrente massima continua collettore Ic

422A

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Numero transistor

2

Tipo di package

SEMITRANS

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

7

Velocità di commutazione

12kHz

Minima temperatura operativa

175°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.1V

Temperatura massima di funzionamento

-40°C

Serie

SKM300GB12E4

Standard/Approvazioni

No

Altezza

30.5mm

Lunghezza

106.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
SK

Moduli IGBT doppi


Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di tensione e corrente nominali e sono adatti per una varietà di applicazioni di commutazione di potenza come inverter c.a., azionamenti per motori e alimentatori continui.

Contenitore compatto SEMITOP®

Idoneità per frequenze di commutazione fino a 12 kHz

Piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia Direct bonded copper

Moduli IGBT, Semikron


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati