Modulo IGBT Semikron Danfoss, VCE 1200 V, IC 422 A, canale N

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Codice RS:
210-4949
Codice costruttore:
SKM300GB12T4
Costruttore:
Semikron Danfoss
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Marchio

Semikron Danfoss

Corrente massima continuativa collettore

422 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

20V

Numero di transistor

2

Configurazione

Dual

Tipo di montaggio

Montaggio a pannello

Tipo di canale

N

Configurazione transistor

Dual Half Bridge (DHB)

Il modulo IGBT rapido 4 Semikron Semitrans 3 appartiene alla generazione IGBT4 che può essere la scelta preferita per applicazioni quali saldatrici elettroniche a frequenze di commutazione fino a 20 kHz, inverter c.a. e UPS. Il chipset fornisce una piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia DBC (rame legato diretto) e un diodo CAL di 4 generazione a commutazione morbida integrato nel modulo.

Resistenza gate integrata
Maggiore capacità di ciclo di potenza e commutazione graduale
Due IGBT serie
Temperatura d'esercizio = da -40 a 150 C.

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