IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO247AC

IGBT ottimizzati progettati per applicazioni di media frequenza, con una risposta rapida che fornisce all'utente la massima efficienza disponibile. Questi dispositivi utilizzano diodi FRED ottimizzati per assicurare le migliori prestazioni con gli IGBT

Transistor IGBT, International Rectifier

International Rectifier offre un'ampia gamma di IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) che vanno da 300 V a 1200 V sulla base di varie tecnologie che riducono al minimo le perdite di conduzione e commutazione per aumentare l'efficienza, ridurre i problemi termici e migliorare la densità di potenza. Inoltre, l'azienda offre una vasta gamma di stampi IGBT progettati specificamente per i moduli di potenza medio-alta. Per i moduli che richiedono la massima affidabilità, possono essere impiegati stampi SFM (Solderable Front Metal) per eliminare i cavi e consentire il raffreddamento su due lati, al fine di migliorare le prestazioni termiche, l'affidabilità e l'efficienza.