Modulo IGBT Semikron, VCE 600 V, IC 151 A, canale N, SEMITOP4

La configurazione in serie di questi moduli IGBT quadrupli Semikron li rende la soluzione perfetta per le applicazioni che richiedono una topologia di livello 3 ad alte prestazioni. Questi moduli compatti SEMITOP 3 per montaggio su circuito stampato presentano un foro di fissaggio con un'eccellente trasmissione del calore e utilizzano tecnologia IGBT Trench. Le applicazioni tipiche includono: inverter c.c./c.a. di livello 3 e alimentatori UPS.

Moduli IGBT, Semikron

Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.