JFET onsemi, canale Tipo N, canale Interruttore a canale N 5 mA, Singolo, SOT-23, 3 Pin
- Codice RS:
- 145-5553
- Codice costruttore:
- MMBFJ112
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
279,00 €
(IVA esclusa)
339,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,093 € | 279,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-5553
- Codice costruttore:
- MMBFJ112
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | JFET | |
| Sottotipo | Interruttore a canale N | |
| Configurazione | Singolo | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -35 V | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 50Ω | |
| Numero pin | 3 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 350mW | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Corrente drain-source Ids | 5 mA | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 2.92mm | |
| Altezza | 0.93mm | |
| Larghezza | 1.3 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto JFET | ||
Sottotipo Interruttore a canale N | ||
Configurazione Singolo | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -35 V | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 50Ω | ||
Numero pin 3 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 350mW | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Corrente drain-source Ids 5 mA | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 2.92mm | ||
Altezza 0.93mm | ||
Larghezza 1.3 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
JFET a canale N, Fairchild Semiconductor
Transistor JFET
Una gamma di dispositivi semiconduttori discreti JFET (transistor a effetto di campo di giunzione) e HEMT/HFET (transistor a elevata mobilità di elettroni/FET a eterogiunzione).