JFET MMBF4093 onsemi, canale N, Single, SOT-23, 3 Pin Singolo
- Codice RS:
- 806-4251
- Codice costruttore:
- MMBF4093
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,339 € | 16,95 € |
| 100 - 950 | 0,159 € | 7,95 € |
| 1000 - 2950 | 0,123 € | 6,15 € |
| 3000 - 8950 | 0,106 € | 5,30 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 806-4251
- Codice costruttore:
- MMBF4093
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss | min. 8mA | |
| Tensione massima drain source | 0,2 V | |
| Tensione massima gate source | -40 V | |
| Tensione massima drain gate | 40V | |
| Configurazione | Single | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Resistenza massima drain source | 80 Ω | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Numero pin | 3 | |
| Dimensioni | 2.92 x 1.3 x 0.93mm | |
| Larghezza | 1.3mm | |
| Altezza | 0.93mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Lunghezza | 2.92mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss min. 8mA | ||
Tensione massima drain source 0,2 V | ||
Tensione massima gate source -40 V | ||
Tensione massima drain gate 40V | ||
Configurazione Single | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Resistenza massima drain source 80 Ω | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Numero pin 3 | ||
Dimensioni 2.92 x 1.3 x 0.93mm | ||
Larghezza 1.3mm | ||
Altezza 0.93mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Lunghezza 2.92mm | ||
JFET a canale N, Fairchild Semiconductor
Transistor JFET
Una gamma di dispositivi semiconduttori discreti JFET (transistor a effetto di campo di giunzione) e HEMT/HFET (transistor a elevata mobilità di elettroni/FET a eterogiunzione).
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