JFET MMBFJ113 onsemi, canale N, Single, SOT-23, 3 Pin Singolo

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
166-1831
Codice costruttore:
MMBFJ113
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss

min. 2mA

Tensione massima gate source

-35 V

Tensione massima drain gate

35V

Configurazione

Single

Configurazione transistor

Singolo

Resistenza massima drain source

100 Ω

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

SOT-23

Numero pin

3

Capacità Drain Gate

28pF

Capacità source gate on

28pF

Dimensioni

2.92 x 1.3 x 0.93mm

Lunghezza

2.92mm

Larghezza

1.3mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

0.93mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

JFET a canale N, Fairchild Semiconductor



Transistor JFET


Una gamma di dispositivi semiconduttori discreti JFET (transistor a effetto di campo di giunzione) e HEMT/HFET (transistor a elevata mobilità di elettroni/FET a eterogiunzione).

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