MOSFET ROHM, canale Tipo N 40 V, 3.2 mΩ Depletion, 80 A, 3 Pin, TO-252, Superficie RD3G08CBLHRBTL
- Codice RS:
- 264-956
- Codice costruttore:
- RD3G08CBLHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 nastro da 5 unità*
5,83 €
(IVA esclusa)
7,115 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 2485 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,166 € | 5,83 € |
| 50 - 95 | 1,106 € | 5,53 € |
| 100 - 495 | 1,024 € | 5,12 € |
| 500 - 995 | 0,944 € | 4,72 € |
| 1000 + | 0,91 € | 4,55 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-956
- Codice costruttore:
- RD3G08CBLHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | RD3G08CBLHRB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.2mΩ | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 96W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 42nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, AEC-Q101 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie RD3G08CBLHRB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.2mΩ | ||
Modalità canale Depletion | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 96W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, AEC-Q101 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET ROHM che si distingue per le sue impressionanti prestazioni in diverse applicazioni. Progettato per un'elevata efficienza, questo componente eccelle nella gestione di livelli di potenza significativi con una generazione di calore minima, rendendolo ideale per gli ambienti automobilistici e industriali più esigenti. Il suo pacchetto compatto DPAK assicura una facile integrazione in layout con limiti di spazio, mentre la costruzione senza piombo, conforme alla direttiva RoHS, garantisce la conformità ai moderni standard ambientali.
Conforme agli standard RoHS che garantiscono la sicurezza ambientale
Il pacchetto compatto DPAK facilita la realizzazione di progetti a ingombro ridotto
Testato in condizioni rigorose per garantire l'affidabilità
Link consigliati
- MOSFET ROHM 3.2 mΩ Depletion 3 Pin Superficie
- MOSFET ROHM 15.8 mΩ Depletion 8 Pin Superficie RD3P06BBKHRBTL
- MOSFET singoli ROHM 3.2 mΩ Miglioramento TO-252 (TL), Superficie AG185FGD3HRBTL
- MOSFET ROHM 80 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET ROHM 4.9 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie RD3G08BBJHRBTL
- MOSFET ROHM 3.1 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie RD3G08CBKHRBTL
- MOSFET ROHM 80 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie RD3L080SNTL1
- MOSFET singoli ROHM 56 mΩ Miglioramento TO-252 (TL), Superficie RD3N03BATTL1
