MOSFET ROHM, canale N 60 V, 80 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie RD3L080SNTL1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-3811
Codice costruttore:
RD3L080SNTL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

RD3L080SN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

15W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Pb-free lead plating, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza ROHM con bassa resistenza in stato attivo, adatto per la commutazione, i suoi circuiti di azionamento possono essere semplici, placcati senza piombo e conformi alla direttiva RoHS.

Velocità di commutazione rapida

Facilità d'uso in parallelo

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