MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 60 V, 7.6 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie RD3L08DBLHRBTL
- Codice RS:
- 687-458
- Codice costruttore:
- RD3L08DBLHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
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|---|---|---|
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| 20 - 48 | 1,855 € | 3,71 € |
| 50 - 198 | 1,67 € | 3,34 € |
| 200 - 998 | 1,345 € | 2,69 € |
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- Codice RS:
- 687-458
- Codice costruttore:
- RD3L08DBLHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3L08DBLHRB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 76W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, AEC-Q101 | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Lunghezza | 10.50mm | |
| Larghezza | 6.8 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-252 (TL) | ||
Serie RD3L08DBLHRB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 76W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, AEC-Q101 | ||
Altezza 2.3mm | ||
Lunghezza 10.50mm | ||
Larghezza 6.8 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- JP
Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per applicazioni esigenti che richiedono un'elevata efficienza e prestazioni robuste. Questo MOSFET a canale N da 60 V e 80 A è caratterizzato da una resistenza in stato attivo ultra bassa, che offre prestazioni elettriche superiori e garantisce l'affidabilità. È progettato per funzionare in modo ottimale in vari ambienti, caratteristica che lo rende ideale per le applicazioni automobilistiche, compresi i sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS) e l'illuminazione. Grazie alla conformità alla norma AEC-Q101 e ai test a valanga al 100%, questo componente garantisce elevati standard di sicurezza ed efficienza in qualsiasi progetto elettronico. Il suo contenitore compatto consente una facile integrazione in layout con limiti di spazio.
La bassa resistenza di accensione di 7,6 mΩ migliora l'efficienza del trasferimento di potenza
Corrente di drenaggio continua massima di 80 A, per garantire l'affidabilità in presenza di carichi significativi
Presenta un'ampia tensione drain-source di 60 V, adatta a varie applicazioni ad alta tensione
Tutti i prodotti sono conformi alla direttiva RoHS e supportano progetti ecocompatibili
Testato a valanga al 100% per una maggiore affidabilità e longevità dei componenti
Prodotto progettato in un contenitore DPAK TO-252 per un facile montaggio in circuiti compatti
Offre un'ampia gamma di temperature d'esercizio da -55 °C a 175 °C, garantendo prestazioni in condizioni estreme
Certificazione AEC Q101, ideale per applicazioni automobilistiche e ad alta affidabilità
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