MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 40 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie RD3G08DBKHRBTL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
687-464
Codice costruttore:
RD3G08DBKHRBTL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

RD3G08DBKHRB

Tipo di package

TO-252 (TL)

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

76W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.8 mm

Altezza

2.3mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, RoHS

Lunghezza

10.50mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
JP
Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per applicazioni ad alte prestazioni che richiedono un'efficienza superiore e un'elevata capacità di corrente. Progettato per funzionare a 40 V con una corrente di drenaggio continua massima di 80 A, questo MOSFET offre affidabilità e prestazioni eccezionali in varie condizioni operative. Inoltre, la sua bassa resistenza di accensione di 4,1 mΩ riduce al minimo le perdite di energia, garantendo prestazioni termiche ottimali e una dissipazione di potenza fino a 76 W, rendendolo una scelta ideale per le applicazioni più esigenti nei settori automobilistico e industriale.

Bassa resistenza di accensione per ridurre le perdite di energia durante il funzionamento

Elevata capacità di corrente di drenaggio continua di 80 A per prestazioni robuste

Dissipazione di potenza nominale di 76 W per un funzionamento affidabile in applicazioni ad alta potenza

Corrente nominale a valanga di 30 A, che garantisce la durata in condizioni transitorie

Qualificazione AEC Q101 per l'affidabilità nelle applicazioni automobilistiche

Conforme alla direttiva RoHS con placcatura senza piombo, in linea con gli standard ambientali

Include specifiche di imballaggio come nastro in rilievo per una manipolazione efficiente

Tensioni nominali multiple per soddisfare diversi progetti di circuiti

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