MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 60 V, 7.6 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie AG191FLD3HRBTL

Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per applicazioni ad alte prestazioni, fornendo un'eccezionale efficienza con una tensione massima Drain-Source di 60 V e una corrente di drenaggio continua di 80 A. Progettato per i sistemi automobilistici più esigenti, questo dispositivo è caratterizzato da una bassa resistenza in stato attivo, che garantisce una perdita di potenza ridotta e una migliore gestione termica. La sua struttura robusta include la certificazione AEC-Q101, che lo rende adatto all'uso in ambienti automobilistici rigorosi. Grazie alla resistenza termica multidimensionale, questo MOSFET gestisce efficacemente lo stress termico, garantendo l'affidabilità in condizioni operative variabili. Ideale per gli ingegneri che cercano un componente affidabile in applicazioni ad alta efficienza, l'AG191FLD3HRB si distingue per le sue prestazioni e l'integrità operativa.

La bassa resistenza offre una maggiore efficienza e riduce la generazione di calore