Memoria Flash Infineon NOR, 128 MB, WSON, 8 Pin, SPI
- Codice RS:
- 273-5379
- Codice costruttore:
- S25FL128SAGNFI003
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-5379
- Codice costruttore:
- S25FL128SAGNFI003
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Memoria Flash | |
| Dimensione memoria | 128MB | |
| Tipo di interfaccia | SPI | |
| Tipo di package | WSON | |
| Numero pin | 8 | |
| Organizzazione | 16MB | |
| Frequenza di clock massima | 133MHz | |
| Tipo di cella | NOR | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Tensione minima di alimentazione | 2.7V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | +85°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | S25 | |
| Standard automobilistico | Certificazione AEC Q100 Grado 3, Certificazione AEC Q100 Grado 2, Certificazione AEC Q100 Grado 1 | |
| Corrente di alimentazione | 100mA | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Memoria Flash | ||
Dimensione memoria 128MB | ||
Tipo di interfaccia SPI | ||
Tipo di package WSON | ||
Numero pin 8 | ||
Organizzazione 16MB | ||
Frequenza di clock massima 133MHz | ||
Tipo di cella NOR | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Tensione minima di alimentazione 2.7V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento +85°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie S25 | ||
Standard automobilistico Certificazione AEC Q100 Grado 3, Certificazione AEC Q100 Grado 2, Certificazione AEC Q100 Grado 1 | ||
Corrente di alimentazione 100mA | ||
- Paese di origine:
- US
La memoria Flash Infineon offre alte densità accoppiate con la flessibilità e le prestazioni rapide richieste da una varietà di applicazioni integrate. Sono ideali per l'ombreggiatura del codice, XIP e l'archiviazione dei dati. L'esecuzione del codice direttamente dalla memoria flash è spesso chiamata esecuzione diretta o XIP (Execute in Place). Utilizzando questi dispositivi FL S alle velocità di clock più elevate supportate, con i comandi QIO o DDR QIO, la velocità di trasferimento di lettura delle istruzioni può corrispondere o superare le tradizionali interfacce parallele, asincrone, memorie flash NOR riducendo al contempo notevolmente il conteggio del segnale.
Contenitore senza piombo
Protezione del settore avanzata
Nucleo CMOS 3,0 V con IO versatile
Conservazione dei dati per un minimo di 20 anni
Modalità di polarità e fase di clock SPI 0 e 3
Minimo di 100000 cicli di programmazione e cancellazione
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