Memoria FRAM Infineon, Seriale SPI, 4Mbit, GQFN, 512K x 8 bit

Memoria non volatile a 4 Mbit a bassa potenza che impiega un processo ferroelettrico Advanced. Una memoria ad accesso casuale ferroelettrica o F-RAM è non volatile ed esegue letture e scritture simili a una RAM. Fornisce un'affidabile conservazione dei dati per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, i costi generali e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati da flash seriale, EEPROM e altre memorie non volatili. A Differenza della flash seriale e EEPROM, esegue operazioni di scrittura a velocità bus. I dati vengono scritti nell'array di memoria immediatamente dopo che ciascun byte è stato trasferito con successo al dispositivo. Il ciclo di bus successivo può iniziare senza la necessità di polling dei dati. Il prodotto offre una sostanziale durata di scrittura rispetto ad altre memorie non volatili. In grado di supportare 1015 cicli di lettura/scrittura o 1000 milioni di cicli di scrittura rispetto alla EEPROM. Ideale per applicazioni di memoria non volatile che richiedono scrittura Rapid o frequente. Offre notevoli vantaggi agli utenti di EEPROM seriale o flash come sostituzione drop-in hardware.