MOSFET STMicroelectronics, canale Doppio N 450 V, 4.5 Ω Miglioramento, 0.4 A, 8 Pin, SO-8, Superficie STS1DNC45

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-447
Codice costruttore:
STS1DNC45
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Doppio N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

0.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

450V

Tipo di package

SO-8

Serie

SuperMESH

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-65°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia Super MESH, ottenuta attraverso l'ottimizzazione di un layout Power MESH ben consolidato. Oltre a una significativa riduzione della resistenza on, questo dispositivo è progettato per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più impegnative.

Contorno standard per un facile assemblaggio per montaggio superficiale automatizzato

Carica gate ridotta al minimo

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