MOSFET STMicroelectronics, canale Doppio N 450 V, 4.5 Ω Miglioramento, 0.4 A, 8 Pin, SO-8, Superficie STS1DNC45
- Codice RS:
- 151-447
- Codice costruttore:
- STS1DNC45
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 151-447
- Codice costruttore:
- STS1DNC45
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Doppio N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 0.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 450V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Doppio N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 0.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 450V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia Super MESH, ottenuta attraverso l'ottimizzazione di un layout Power MESH ben consolidato. Oltre a una significativa riduzione della resistenza on, questo dispositivo è progettato per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più impegnative.
Contorno standard per un facile assemblaggio per montaggio superficiale automatizzato
Carica gate ridotta al minimo
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