MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale N 30 V, 0.021 Ω Miglioramento, 10 A, 8 Pin, SO-8, Superficie STS10N3LH5

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Codice RS:
719-622
Codice costruttore:
STS10N3LH5
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SO-8

Serie

STS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.021Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4mm

Altezza

1.75mm

Lunghezza

5mm

La tecnologia STripFETTMV Power MOSFET di STMicroelectronics è tra gli ultimi miglioramenti, che sono stati appositamente progettati per ottenere una resistenza allo stato on molto bassa, fornendo anche uno dei migliori FOM della categoria.

Resistenza on RDS(on) estremamente bassa

Carica gate di commutazione molto bassa

Elevata resistenza alle scariche disruptive a valanga

Bassa perdita di potenza dell'azionamento del gate

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