MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 500 V, 1.5 Ω Miglioramento, 4.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD5NK50ZT4

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
151-459
Codice costruttore:
STD5NK50ZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Serie

SuperMESH

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.4mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia Super MESH, ottenuta attraverso l'ottimizzazione di un layout Power MESH ben consolidato. Oltre a una significativa riduzione della resistenza on, questo dispositivo è progettato per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più impegnative.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Carica gate ridotta al minimo

Capacità intrinseca molto bassa

Protezione Zener