MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 500 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD11N60M6

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Codice RS:
212-2105
Codice costruttore:
STD11N60M6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-252

Serie

STD11N60M6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

500mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

90W

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.3nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.6mm

Altezza

2.4mm

Larghezza

6.2 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MDMESH M6 MOSFET N-CH


La tecnologia STMicroelectronics MDmesh M6 incorpora i più recenti progressi nella nota e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. Si basa sulla generazione precedente di dispositivi MDmesh attraverso la sua nuova tecnologia M6, che combina un eccellente miglioramento RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza intuitiva per la massima efficienza delle applicazioni finali.

Perdite di commutazione ridotte

RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa resistenza di ingresso gate

Testato con effetto valanga al 100%

Protezione Zener

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