MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 100 V, 38 Ω Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-252 STD25NF10T4
- Codice RS:
- 151-917
- Codice costruttore:
- STD25NF10T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 151-917
- Codice costruttore:
- STD25NF10T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 25A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | STripFET II | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 38Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 55nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 25A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie STripFET II | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 38Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 55nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
La serie Power MOSFET di STMicroelectronics è stata sviluppata utilizzando il processo STripFET, appositamente progettato per ridurre al minimo la capacità di ingresso e la carica del gate. Ciò rende il dispositivo adatto per l'uso come interruttore primario in convertitori c.c.-c.c. isolati ad alta efficienza avanzati per applicazioni di telecomunicazioni e informatiche.
Eccezionale capacità dv/dt
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Bassa carica del gate
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