MOSFET STMicroelectronics, canale N 100 V, 38 Ω Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-252, Montaggio superficiale STD25NF10T4

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-917
Codice costruttore:
STD25NF10T4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

STripFET II

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

38Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

55nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
La serie Power MOSFET di STMicroelectronics è stata sviluppata utilizzando il processo STripFET, appositamente progettato per ridurre al minimo la capacità di ingresso e la carica del gate. Ciò rende il dispositivo adatto per l'uso come interruttore primario in convertitori c.c.-c.c. isolati ad alta efficienza avanzati per applicazioni di telecomunicazioni e informatiche.

Eccezionale capacità dv/dt

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Bassa carica del gate

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