MOSFET STMicroelectronics, canale N 200 V, 0.034 Ω Miglioramento, 75 A, 3 Pin, TO-263, Superficie STB75NF20

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Codice RS:
151-918
Codice costruttore:
STB75NF20
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Serie

STripFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.034Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

50°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

84nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

15.85mm

Altezza

4.6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics realizzato con l'esclusivo processo STripFET è stato appositamente progettato per ridurre al minimo la capacità di ingresso e la carica del gate. È quindi adatto come interruttore primario nei convertitori c.c.-c.c. isolati ad alta efficienza avanzati.

Eccezionale capacità dv/dt

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Bassa carica del gate

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