MOSFET STMicroelectronics, canale N 950 V, 1.25 Ω Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD6N95K5

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Codice RS:
151-924
Codice costruttore:
STD6N95K5
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

950V

Tipo di package

TO-252

Serie

MDmesh K5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.25Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.6nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

6.6mm

Altezza

2.4mm

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è progettato utilizzando la tecnologia MDmesh K5 basata su un'innovativa struttura verticale proprietaria. Il risultato è una drastica riduzione della resistenza e una carica di gate estremamente bassa per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.

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