MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 950 V, 1.25 Ω Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
188-8295
Codice costruttore:
STP6N95K5
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

950V

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.25Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

90W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

15.75mm

Larghezza

4.6 mm

Standard automobilistico

No

Questi MOSFET di potenza a canale N ad altissima tensione sono progettati utilizzando la tecnologia MDmesh™ K5 basata su un'innovativa struttura verticale proprietaria. Il risultato è una drastica riduzione della resistenza all'accensione e della carica del gate ultra-bassa per le applicazioni collegamento di stato del prodotto che richiede una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.

Carica gate ultra bassa

Protezione Zener

Applications

Applicazioni di commutazione

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