MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 1.2 Ω Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP6NK60Z

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Codice RS:
151-941
Codice costruttore:
STP6NK60Z
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SuperMESH

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

10.4 mm

Lunghezza

28.9mm

Altezza

28.9mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è stato ottenuto grazie a un'estrema ottimizzazione del consolidato layout Power MESH basato su strisce. Oltre a ridurre notevolmente la resistenza, viene prestata particolare attenzione a garantire un'ottima capacità dv/dt per le applicazioni più esigenti.

Capacità dv/dt estremamente elevata

Testato al 100% contro le valanghe

Carica di gate ridotta al minimo

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