MOSFET STMicroelectronics, canale N 600 V, 1.2 Ω Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP6NK60Z
- Codice RS:
- 151-941
- Codice costruttore:
- STP6NK60Z
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 151-941
- Codice costruttore:
- STP6NK60Z
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.2Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 33nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 28.9mm | |
| Larghezza | 10.4mm | |
| Lunghezza | 28.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 33nC | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 28.9mm | ||
Larghezza 10.4mm | ||
Lunghezza 28.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è stato ottenuto grazie a un'estrema ottimizzazione del consolidato layout Power MESH basato su strisce. Oltre a ridurre notevolmente la resistenza, viene prestata particolare attenzione a garantire un'ottima capacità dv/dt per le applicazioni più esigenti.
Capacità dv/dt estremamente elevata
Testato al 100% contro le valanghe
Carica di gate ridotta al minimo
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