MOSFET ROHM, canale P, 1,5 Ω, 250 mA, TSMT-3, Montaggio superficiale

Codice RS:: 178-649
Codice costruttore:: RTU002P02T106
Costruttore:: ROHM

MOSFET ROHM, canale P, 1,5 Ω, 250 mA, TSMT-3, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 178-649
Codice costruttore:: RTU002P02T106
Costruttore:: ROHM

MOSFET,Pch,20V/0.25A,3.0ohm@2.5V,SC-70
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	250 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	TSMT-3
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	200 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Lunghezza	2.9mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.6mm
Altezza	0.85mm

MOSFET ROHM, canale P, 1,5 Ω, 250 mA, TSMT-3, Montaggio superficiale

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Transistor MOSFET a canale P, ROHM

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