1 MOSFET ROHM Singolo, canale Tipo P, 1.5 Ω, 250 mA 20 V, TSMT-3, Superficie Miglioramento, 3 Pin RTU002P02T106
- Codice RS:
- 178-649
- Codice costruttore:
- RTU002P02T106
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 178-649
- Codice costruttore:
- RTU002P02T106
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 250mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | TSMT-3 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 200mW | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12V, -12V | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Altezza | 0.85mm | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Larghezza | 1.6mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 250mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package TSMT-3 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 200mW | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12V, -12V | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Altezza 0.85mm | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Larghezza 1.6mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
- Paese di origine:
- JP