MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 40 V, 20.6 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TSMT-3, Superficie RQ5G060BGTCL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-556
Codice costruttore:
RQ5G060BGTCL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TSMT-3

Serie

RQ5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.0W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

3 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor a effetto campo a semiconduttore di ossido di metallo ROHM su canale N con potenza di 40 volt e 6 ampere è caratterizzato da una bassa resistenza di accensione, da un tipo di package a montaggio superficiale basso TSMT3, da una placcatura priva di piombo e dalla conformità alle restrizioni sulle sostanze pericolose.

Senza alogeni

Testato al 100% per Rg e UIS

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