MOSFET IXYS, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-220, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-220, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 193-420
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	50 A
Tensione massima drain source	200 V
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	60 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5.5V
Dissipazione di potenza massima	360 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4.83mm
Lunghezza	10.66mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	70 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.15mm

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