MOSFET IXYS, canale Tipo N 200 V, 60 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IXTP50N20P

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

6,71 €

(IVA esclusa)

8,19 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Scorte limitate
  • 1 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 1 unità in spedizione dal 22 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 96,71 €
10 - 245,87 €
25 +5,06 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
193-420
Codice costruttore:
IXTP50N20P
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-220

Serie

HiperFET, Polar

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

360W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

9.15mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.66mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS


MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.