MOSFET IXYS, canale Tipo N 300 V, 49 mΩ Miglioramento, 69 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IXFH69N30P

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

12,20 €

(IVA esclusa)

14,88 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 07 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 912,20 €
10 +10,63 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
193-543
Codice costruttore:
IXFH69N30P
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

69A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

300V

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

49mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

156nC

Dissipazione di potenza massima Pd

500W

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

16.26mm

Altezza

21.46mm

Larghezza

5.3 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS


MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati