MOSFET IXYS, canale N, 49 mΩ, 69 A, TO-247, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 49 mΩ, 69 A, TO-247, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 193-543
Price: 12.70 EUR
Availability: OutOfStock

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Prezzo per Unità

10,41 €

(IVA esclusa)

12,70 €

(IVA inclusa)

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	69 A
Tensione massima drain source	300 V
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	49 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	500 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	16.26mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	156 nC a 10 V
Altezza	21.46mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	69 A
Tensione massima drain source	300 V
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	49 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	500 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	16.26mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	156 nC a 10 V
Altezza	21.46mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

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