MOSFET IXYS, canale Tipo N 650 V, 69 mΩ Miglioramento, 46 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IXFH46N65X2

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 unità*

7,66 €

(IVA esclusa)

9,35 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 107 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 +7,66 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
917-1413
Codice Distrelec:
302-53-326
Codice costruttore:
IXFH46N65X2
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

46A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

69mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

660W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

98nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.4V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

16.13mm

Larghezza

21.34 mm

Altezza

5.21mm

Distrelec Product Id

30253326

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, HiPerFET™ serie IXYS X2


La serie di MOSFET di potenza HiPerFET classe X2 IXYS offre una carica significativamente ridotta su resistenza e di gate rispetto alle precedenti generazioni di MOSFET di potenza, per minori perdite e una maggiore efficienza operativa. Questi robusti dispositivi incorporano un diodo intrinseco migliorato ad alta velocità e sono adatti per le applicazioni sia con modalità di commutazione hard che di risonanza. I MOSFET di potenza di classe X2 sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali fino a 120 A a 650 V. Le applicazioni tipiche includono: convertitori c.c./c.c., azionamenti per motori c.a e c.c., alimentatori switching e con modalità di risonanza, chopper c.c., inverter solari, controllo della temperatura e dell'illuminazione.

RDS(on) e QG (carica gate) molto ridotti

Diodo raddrizzatore intrinseco rapido

Bassa resistenza di gate intrinseca

Contenitore a bassa induttanza

Contenitori conformi allo standard industriale

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati