Codice costruttore

MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 38 mΩ Miglioramento, 69 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante STW77N65M5

Codice RS:: 761-0635
Codice costruttore:: STW77N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 38 mΩ Miglioramento, 69 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante STW77N65M5

Sconto per quantità disponibile

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

14,64 €

(IVA esclusa)

17,86 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 24 novembre 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità
1 - 4	14,64 €
5 - 9	13,90 €
10 - 24	12,50 €
25 - 49	12,19 €
50 +	11,87 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 761-0635
Codice costruttore:: STW77N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	69A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	TO-247
	Serie	MDmesh M5
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	38mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	400W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.5V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	185nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	20.15mm
	Lunghezza	15.75mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio STMicroelectronics
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 69A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package TO-247
	Serie MDmesh M5
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 38mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 400W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.5V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 185nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 20.15mm
	Lunghezza 15.75mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics

I MOSFET di potenza MDmesh M5 sono ottimizzati per le topologie PFC e PWM ad alta potenza. Le caratteristiche principali includono una bassa perdita in stato attivo per ogni area di silicio unitamente a una bassa carica di gate. Sono progettati per applicazioni hard switching compatte, affidabili e a risparmio energetico, come ad esempio convertitori di energia solare, alimentatori per prodotti di consumo e comandi di illuminazione elettronici.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.