MOSFET IXYS, canale Tipo N 200 V, 18 mΩ Miglioramento, 115 A, 4 Pin, SOT-227, Pannello IXFN140N20P

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
193-616P
Codice costruttore:
IXFN140N20P
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

115A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

240nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

680W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

25.42mm

Lunghezza

38.23mm

Altezza

9.6mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

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