MOSFET IXYS, canale Tipo N 100 V, 7.5 mΩ Miglioramento, 200 A, 4 Pin, SOT-227, Superficie IXFN200N10P

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Codice RS:
125-8040
Codice costruttore:
IXFN200N10P
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

200A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-227

Serie

Polar HiPerFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

235nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

680W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

9.6mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

25.07 mm

Lunghezza

38.23mm

Standard automobilistico

No

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