MOSFET IXYS, canale Tipo N 200 V, 18 mΩ Miglioramento, 115 A, 4 Pin, SOT-227, Pannello IXFN140N20P

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

31,73 €

(IVA esclusa)

38,71 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 27 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 431,73 €
5 +26,81 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
193-616
Codice Distrelec:
302-53-362
Codice costruttore:
IXFN140N20P
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

115A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

240nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

680W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

25.42 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.6mm

Lunghezza

38.23mm

Distrelec Product Id

30253362

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS


MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati