MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 6.4 mΩ Miglioramento, 66 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN6R4-30MLDX

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 1 unità*

0,97 €

(IVA esclusa)

1,18 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 10 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Nastro/i
Per Nastro
1 - 90,97 €
10 - 990,88 €
100 - 4990,83 €
500 - 9990,74 €
1000 +0,67 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-304
Codice costruttore:
PSMN6R4-30MLDX
Costruttore:
Nexperia
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

66A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

PSM

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

51W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET a canale N Nexperia è dotato di un portafoglio NextPowerS3 che utilizza l'esclusiva tecnologia SchottkyPlus di NXP per fornire un'elevata efficienza, prestazioni a bassa spinta solitamente associate ai MOSFET con un diodo Schottky o simile a Schottky integrato ma senza la problematica corrente di dispersione elevata. NextPowerS3 è particolarmente adatto per applicazioni ad alta efficienza a frequenze di commutazione elevate.

Bassa induttanza parassitaria e bassa resistenza

Contenitore Power SO8 incollato con clip ad alta affidabilità e fissato a matrice di saldatura

Qualificato fino a 175 °C

Commutazione ultraveloce con recupero morbido

Link consigliati