MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 2 mΩ Miglioramento, 100 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN2R0-30YLE,115

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Codice RS:
219-316
Codice costruttore:
PSMN2R0-30YLE,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

LFPAK

Serie

PSM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

87nC

Dissipazione di potenza massima Pd

238W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET a canale N Nexperia è alloggiato in un contenitore LFPAK e qualificato per 175 °C. È progettato per un'ampia gamma di applicazioni industriali, di comunicazione e domestiche. Gli impieghi principali includono fusibili elettronici, swap a caldo, interruttore di carico e soft start.

Area di funzionamento sicura con polarizzazione in avanti migliorata per un funzionamento in modalità lineare superiore

Rdson molto basso per basse perdite di conduzione

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