MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 7.5 mΩ Miglioramento, 86 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN7R5-60YLX

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Codice RS:
219-365
Codice costruttore:
PSMN7R5-60YLX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

86A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

PSM

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

60.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

147W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC 60134

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET a canale N Nexperia viene fornito in un contenitore LFPAK56 e utilizza la tecnologia TrenchMOS ed è progettato per l'uso in un'ampia gamma di applicazioni di alimentazione e controllo motore. Gli impieghi principali includono la rettifica sincrona nella topologia LLC, caricabatterie e adattatori con tensione di uscita inferiore a 10 V, applicazioni di ricarica rapida e USB-PD, controllo motore alimentato a batteria e retroilluminazione LED/TV.

Funzionamento del gate di livello logico

Valanga e testato al 100%

LLFPAK fornisce la massima densità di potenza in un contenitore SO8 di potenza

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